ＳｉＣ粉末的合成
ＳｉＣ在地球上几乎不存在，仅在陨石中有所发现，因此，工业上应用的ＳｉＣ粉末都为人工合成。目前，合成ＳｉＣ粉末的主要方法有：
１、Ａｃｈｅｓｏｎ法：
这是工业上采用最多的合成方法，即用电将石英砂和焦炭的混合物加热至２５００℃左右高温反应制得。因石英砂和焦炭中通常含有Ａｌ和Ｆｅ等杂质，在制成的ＳｉＣ中都固溶有少量杂质。其中，杂质少的呈绿色，杂质多的呈黑色。
２、化合法：
在一定的温度下，使高纯的硅与碳黑直接发生反应。由此可合成高纯度的β－ＳｉＣ粉末。
３、热分解法：
使聚碳硅烷或三氯甲基硅等有机硅聚合物在１２００～１５００℃的温度范围内发生分解反应，由此制得亚微米级的β－ＳｉＣ粉末。
４、气相反相法：
使ＳｉＣｌ４和ＳｉＨ４等含硅的气体以及ＣＨ４、Ｃ３Ｈ８、Ｃ７Ｈ８和（Ｃｌ４等含碳的气体或使ＣＨ3ＳｉＣｌ３、（ＣＨ３）２ ＳｉＣｌ２和Ｓｉ（ＣＨ３）４等同时含有硅和碳的气体在高温下发生反应，由此制备纳米级的β－ＳｉＣ超细粉。
